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元件参数资料
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参数目录40018
> FDS8935 MOSFET P-CH 80V 2.1A 8SOIC
型号:
FDS8935
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 80V 2.1A 8SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
FDS8935 PDF
标准包装
1
系列
PowerTrench®
FET 型
2 个 P 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
183 毫欧 @ 2.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
19nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
879pF @ 40V
功率 - 最大
1.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOIC
包装
剪切带 (CT)
其它名称
FDS8935CT
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